일반기술
질화물 반도체 및 그 성장 방법
본 기술은 질화물 반도체 및 그 성장 방법에 관한 것이다.- 특징발광 소자의 활성층으로 이용되는 InGaN 박막층을 형성할 때 미리 In 원을 일정 시간 동안 흘려준 후에 InGaN박막층을 형성하기 때문에 InGaN 박막층 내의 In의 인입 효율이 증진되어 장파장 발광이 가능하다.전체 조성비에 비해 높은 In 조성을 가지는 미세 영역 형성이 용이하므로 국부적인 엑시톤이 형성되어 광특성이 증진된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-01-31
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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