일반기술

이종접합 바이폴라 트랜지스터 및 그 제조방법

본 기술은 이종접합 바이폴라 트랜지스터(Heterojunction Bipolar Transistor , HBT) 및 그 제조방법에 관한 것이다.- 특징외부 베이스-컬렉터 정전용량의 제거로 최대진동주파수(fmax )의 증가로 인한 전력 이득의 증가, 베이스-컬렉터간의 정전용량 충전시간(charging time)의 감소로 인한 동작속도의 증가, 선형성의 개선 등이 이루어진다. 이로 인해 고전력 소자로서의 특성에 매우 적합하여 이동통신용 단말기나 기지국용 고전력 증폭기에 응용되어질 경우 통화 품질이나 전력 소모 등의 특성을 크게 개선시킬 수 있다.외부 베이스-컬렉터 정전용량의 제거가 공정상에서 쉽게 구현 가능하여 외부 베이스-컬렉터 정전용량 감소를 위한 마스크상의 설계가 필요 없어지기 때문에 마스크의 수가 감소하여 제작 비용이 감소된다.종래의 제조 방법과는 달리 고가의 장비를 필요로 하지 않아 저렴한 비용으로 구현이 가능하고, 상호간에 식각 선택도가 높은 물질을 사용하기 때문에 식각 공정에 있어서의 공정 여유도가 증가하며, 임듐갈륨포스파이드 제 2 컬렉터 층의 마스크 역할로 포토레지스트 공정에서의 공정 여유도가 증가한다.