일반기술

금속 복합 범프 형성 및 이를 이용한 접합 방법

본 기술은 금속 복합 범프 형성 및 이를 이용한 접합 방법에 관한 것으로서 반도체 칩을 유리기판에 실장하기 위한 금속복합범프 형성 시 전기적 특성이 우수한 금속 기지 내에 전도성 고분자를 첨가함으로써, 저가격으로 범프 형성이 가능하고 신뢰성 측면에서 우수한 특성을 나타내는 금속 복합 범프 형성 및 이를 이용한 접합 방법에 관한 것이다.이를 위해, 본 기술은 반도체 칩 상에 고분자 입자가 혼합된 도금액을 이용하여 전기 도금 또는 무전해 도금으로 형성되며, 양극에는 금속이, 음극에는 반도체 칩이 위치하여 금속 내에 고분자 입자가 분포되도록 금속과 고분자 입자가 동시에 도금되는 것을 특징으로 하는 플립칩 패키징용 금속 복합 범프를 제공한다.본 기술은 반도체 칩을 유리기판에 실장하기 위한 금속 복합 범프 형성방법에 있어서, 반도체 칩 상에 고분자 입자가 혼합된 도금액을 이용하여 전기 도금으로 형성되며, 양극에는 금속이, 음극에는 반도체 칩이 위치하여 금속 내에 고분자 입자가 분포되도록 금속과 고분자 입자가 동시에 도금되는 것을 특징으로 한다.또한, 본 기술은 반도체 칩을 유리기판에 실장하기 위한 금속 복합 범프 형성방법에 있어서, 반도체 칩 상에 고분자 입자가 혼합된 도금액을 이용하여 무전해 도금으로 형성되며, 반도체 칩을 고분자 입자가 혼합된 도금액 안에 위치시켜 금속 내에 고분자 입자가 분포되도록 금속과 고분자 입자가 동시에 도금되는 것을 특징으로 한다.