일반기술

구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원

본 기술은 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출 팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출 팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원제조에 관한 것이다.○ 기술 요약 및 특징: 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출 팁의 저온 형성 방법 및 이 방법에 의해 제조된 전자방출 팁을 포함하는 디스플레이 장치 또는 광원을 제공한다. 노출된 구리 표면을 가지는 기판을 제공한 후, 구리 표면을 100℃ 이하의 저온으로 유지되는 산화 용액과 접촉시켜 기판 표면에 구리산화물 나노와이어들을 성장시킨다. 선택적으로, 구리산화물 나노와이어들에 환원 가스를 공급하여 구리산화물 나노와이어들을 구리 나노와이어들로 환원시킨다. 본 기술에 따르면, 구리산화물 또는 구리 나노와이어로 이루어진 전자방출 팁을 전자방출에 적합한 모양과 길이를 지니도록 저온에서 고밀도로 형성할 수 있음.