일반기술

박막 EL 소자의 제조방법 및 그 구조

기술의 개요 - 본 기술은 박막 EL 소자의 제조방법 및 그 구조에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 투명기판 상에 ITO투명전극을 스퍼터링법으로 형성한 후 광식각법을 이용하여 선에칭하여 ITO투명전극을 형성하는 공정과, 공정 후 실리콘 타겟을 이용하여 리엑티브 스퍼터링법으로 제 1 절연층을 형성하는 공정, 공정 후 형광체(ZnS)에 희토류를 미량 함유하는 발광층을 전자빔 증착법 또는 스퍼터링법으로 증착하는 공정, 공정 후 흑화막(PrMnO3)을 증착한 후 스핀코터를 이용하여 포토레지스터막(PR)을 코팅하고 노광 후 포토레지스터막(PR)을 원하는 형상으로 현상한 후 스퍼터를 이용하여 스퍼터 에칭으로 발광층과 산화막을 에칭하는 공정과, 공정 후 흑화막을 발광층과 흑화막의 두께만큼 다시 증착하는 공정, 공정 후 포토레지스터막(PR)을 제거하고 제 2 절연층을 실리콘 타겟을 이용하여 레엑티브 스퍼터링법으로 증착하는 공정 및 공정 후 제 2 절연층 위에 Al전극을 열증착 또는 스퍼터링법으로 증착한 후 ITO투명전극과 수직이 되도록 광식각법을 이용하여 Al전극을 선에칭하는 공정으로 구성되어 있는 것이 특징이다.