일반기술

반도체 양자점 특성 조절을 위한 2단계 성장중지 방법

본 기술은 화합물 반도체 기판 상부에 화합물반도체 버퍼층을 성장시키고, 그 버퍼층 상부에 양자점 결정층을 성장시킨 후, 제1단계 성장중지 공정을 적용하여 양자점 결정층을 입체적인 형상을 갖도록 한 다음에 제2단계 성장중지 공정을 적용하여 양자점 결정층의 입체적인 형상을 조절하는 양자점 형성방법을 나타낸다. 즉, 제1단계 및 제2단계 성장중지공정을 적용하여 화합물반도체 격자부정합 이종접합 구조의 양자점 구조의 특성을 증착 반응기 내에서 직접 조절할 수 있고 신뢰도와 성능이 우수한 양자점을 형성할 수 있다. 위의 제1단계 및 제2단계 성장중지 공정을 적용하여 형성된 화합물반도체 격자부정합 이종접합 구조의 양자점 구조를 응용한 광전소자는 기존의 표준 공정을 그대로 활용할 수 있다.ㅇ기술 요약 및 특징 : 화합물 반도체 기판 상부에 화합물 반도체 기판보다 격자상수가 큰 양자점 결정층을 성장시키는 단계, 양자점 결정층에 제1단계 성장중지 공정을 적용하여 입체적인 모양의 양자점을 형성하는 단계, 양자점에 제2단계 성장중지 공정을 적용하여 양자점의 입체적인 형상을 조절하는 단계, 양자점 구조 위에 양자점 결정층보다 보다 격자상수가 작은 덮개층을 성장하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 양자점 형성방법. 화합물 반도체 기판 상부에 화합물 반도체 기판보다 격자상수가 1%이상 큰 양자점 결정층을 성장시키는 단계, 양자점 결정층에 제1단계 성장중지 공정을 적용하여 입체적인 모양의 양자점을 형성하는 단계, 양자점에 제2단계 성장중지 공정을 적용하여 양자점의 입체적인 형상을 조절하는 단계, 양자점 구조 위에 양자점 결정층보다 보다 격자상수가 작은 덮개층을 성장하는 단계를 포함하는 화합물 반도체 양자점 형성방법.