일반기술
대전류용 트렌치게이트 DMOS 제조기술
대전류용 Trench Gate DMOS 전력소자 제조 기술 - N채널 트렌치 게이트 전력소자 제조기술 - P채널 트렌치 게이트 전력소자 제조기술 - 트렌치 식각기술 - 트렌치 게이트 산화막 성장 및 게이트 전극 형성기술 - 트렌치 게이트 채널 형성 기술 - 고집적 트렌치 게이트 (100 M cells/inch2) 전력소자 제조기술- 대전류용(구동전류;< 10 A,항복전압;< 50 V ) Trench Gate DMOS 전력소자 제조 기술의 국내 확보로 전량 수입에 의존하는 부품을 국내에서 양산함으로써 수입 대체 효과 및 리튬이온 이차전지가 활용되는 정보통신기기의 대외 경쟁력 향상 - 휴대폰, 노트북PC, 스텝모터 및 소형 전원장치 등의 핵심부품으로 활용. 특히 휴대폰, 노트북PC 등은 급진적으로 시장이 창출되고 있어 경제적 효과가 지대함.
기술정보
- 기술분류
- 통신 > 기타 무선·이동통신
- 보유기관
- 한국전자통신연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2000-11-22
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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