일반기술

내부제트분사를 이용한 광섬유 제조 방법

본 기술은 광통신에 사용되는 광섬유 모재를 제조함에 있어서, 원관내부에서 기체상으로부터 입자를 발생시켜 원관내벽에 부착시키는 고증착률과 고균일도를 나타내는 화학증착방법에 관한 것이다.현재 광섬유 제조에 광범위하게 사용되는 MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition)에서는 실리카 원관의 중심에서 가스의 속도가 최대가 되므로 외부 가열효과가 충분히 중심축까지 전달되기 어렵고 중심부근에서 입자가 생성되더라도 축방향으로 상당한 거리를 이동하기 때문에 입자부착율이 낮아지고 불균일 입자부착구간이 길어진다. 이러한 점들을 해결하기 위해 출원되는 본 발명은 기존의 MCVD방법과 유사하나 기존의 MCVD는 하나의 실리카 원관을 사용하여 그 원관내에서 화학반응을 이용하여 미세입자를 생성, 부착시키는 반면 본 발명에 따른 방법은 입자가 부착되는 실리카 원관내부에 고온의 가스가 분사될 수 있는 원관을 그 원관의 배기구로부터 추가로 주입하는 것을 특징으로 한다.내부에서 고온의 기체가 분사되면 분사되는 가스제트는 막(A)을 형성하여 생성된 입자를 외부원관의 벽쪽으로 이동시키고 분사된 제트의 온도가 고온이므로 높은 온도구배의 효과를 얻을 수 있어서 입자부착율이 높아지고 입자의 부착구간은 훨씬 줄어든다. 또한 분사된 제트의 유량과 온도를 조절함으로서 막의 두께를 조절할 수 있는데 이것은 온도구배와 연관이 있으므로 이 유량과 온도의 조절로 단위시간당의 입자부착량과 입자부착 구간의 제어를 할 수 있을 것이다. 내부원관은 토치의 이송속도와 동일하게 이송시켜 토치위치근방에서 제트를 분사할 수 있도록 한다. 내부원관의 가열에는 전열선에 의한 가열, 유도전류에 의한 가열, 연료의 연소에 의한 가열의 방법 등을 포함한다.