일반기술
반도체 레이저 다이오드 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 제1도전형 기판 위에 버퍼층, 제1도전형 클래드층, 활성층, 제2도전형의 1차 클래드층, 식각저지층, 제2도전형의 2차 클래드층, 전류주입층을 차례로 성장시켜 더불헤테로 구조를 형성하는 단계와, 더블헤테로 구조를 식각저지층까지 선택적으로 식각하여 릿지를 형성하는 단계, 릿지가 형성된 웨이퍼상에 전류차단층을 성장시키는 단계, 전류차단층을 선택적으로 식각하여 릿지상에 전류주입영역을 형성하는 단계, 결과를 전면에 캡층으로 형성하는 단계 등으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.