일반기술
반도체 레이저 다이오드
본 기술은 고출력용 브로드 웨이브가이드 타입(broad waveguide type) 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.- 특징도핑된 양자 장벽 또는 다중 양자 장벽을 도파층 영역에 삽입함으로써, 별도로 클래드층 및 도파층과의 에너지 간격을 줄이지 않아 캐리어 주입 효율을 높이고, COMD에서의 내부 전력 밀도를 증가시키며, 도파층보다 낮은 굴절률을 갖는 양자 장벽을 통해 도파층과의 높은 굴절률의 차로 광을 퍼지게 하여 좁은 파-필드 패턴을 얻을 수 있으므로 고출력 레이저 다이오드의 성능을 획기적으로 개선할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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