일반기술
반도체소자의 제조방법
본 기술은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 단순한 공정에 의해 특성이 향상된 T 형 게이트구조를 가진 MESFET를 제조하기 위한 것이다.- 특징게이트 패턴을 전사시킨 포토레지스트의 오버행 구조와 Sin의 증착 특성을 이용하여 게이트 길이가 감소된 T형 게이트를 용이하게 제조할 수 있다.절연층의 제거나 게이트 금속의 리프트오프가 용이하고 간편하며, T형 게이트 제조에 사용된 SiN 막을 계속해서 제거하지 않고 사용하므로 활성층의 표면상태 안정에 기여하여 MESFET 특성을 향상시킨다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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