일반기술
반도체 레이저
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로, AlGaAs와 밴드갭 에너지가 비슷하고 3쪽 원소의 조성을 변화시킴으로써 격자상수를 변화시킬 수 있는 InGaP와 InGaAlP를 배리어와 클래드층으로 이용한 830nm의 TM모드 발진 반도체 레이저에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판위에 버퍼층과 제1클래드층, 상, 하부에 각각 형성된 2개의 배리어층에 의해 텐사일 스트레인을 갖는 활성층, 제2클래드층 및 캡층이 차례로 형성되어 이루어진 반도체 레이저에 있어서, 기판과 일치하는 격자상수로부터 제1클래드층과 일치하는 격자상수를 갖는 조성으로 변화된 제1그레이디드층이 제1클래드층 하부에 형성되고, 제2클래드층과 일치하는 격자상수로부터 캡층과 일치하는 격자상수를 갖는 조성으로 변화된 제2그레이디드층이 제2클래드층 상부에 형성된 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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