일반기술
전계효과 트랜지스터 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 전계효과 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 게이트를 ㄱ 자형으로 제조 하여 게이트 길이의 감소에 따른 저항의 증가를 방지하는데 적당하도록 한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판위에 PMMA층과 금속층 및 포토레지스트층을 차례로 적층시키는 단계와, 포토레지스트를 선택적으로 노광 및 현상하여 게이트 형성부위를 디파인하는 단계, 노출되는 금속층 부위를 각도를 준 건식식각에 의해 선택적으로 식각하는 단계, 금속층이 제거된 부분의 PMMA층 부위를 선택적으로 노광시키는 단계, 노출된 기판부위를 리세스 식각하는 단계, 기판상에 게이트 금속을 증착하는 단계, 포토레지스트층을 리프트오프하고 금속층 및 PMMA층을 제거하는 단계 등으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-05
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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