일반기술
반도체소자 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 반도체소자의 게이트길이를 감소시키고, 저항을 줄이기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 제1레지스트층을 형성하는 단계와, 제1레지스트층을 전자빔에 의해 선택적으로 노광 및 현상하여 제1폭을 갖는 패턴을 형성하는 단계, 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계, 절연막상에 제2레지스트층을 형성하는 단계, 제2레지스트층을 UV 리소그래피공정에 의해 선택적으로 노광 및 현상하여 제1레지스트층 패턴 상부에 제2폭의 패턴을 형성하는 단계, 절연막의 노출된 부위를 건식식각하는 단계, 기판 상에 게이트 형성용 금속을 증착하는 단계, 리프트오프공정에 의해 제1레지스트층 및 제2레지스트층을 제거하여 T자형 게이트를 형성하는 단계로 구성되는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 소자 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-05
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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