일반기술
박막 트랜지스터 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 활성층 가장자리 부근에 산화막이 두껍게 형성되어 액정표시 장치용 폴리실리콘 박막 트랜지스터의 특성을 향상시키는 데에 그 목적이 있다.기술의 특징 - 본 기술은 제조시 석영기판상에 폴리실리콘을 증착한 후, 원하는 활성층 영역으로 정의하기 위해 이위에 포토레지스트 패턴(PR)을 형성한다. 이어서 인을 이온주입한다. 이때 인의 농도는 10(21)/cm(3)이상 되도록 주입하여 활성영역 이외의 영역에 불순물 도핑층을 형성한다. 다음에 포토레지스트 패턴을 제거한 후 열산화 공정을 행하여 게이트 산화막을 형성한다. 이 때 산화속도에 차이가 있어 활성층상의 산화막을 성장시켰을 때 불순물이 도핑된 영역에는 폴리실리콘이 모두 산화막이 되므로 활성층이 인접하는 다른 활성층과 분리된다. 그후 게이트 산화막상에 도전층으로서, 불순물이 도핑된 폴리실리콘을 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-05
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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