일반기술

박막 트랜지스터 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 박막트랜지스터(thin film transistor; TFT) 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 투명기판상에 버퍼층과 소정패턴의 반도체 섬 및 게이트 절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 게이트 절연막 상에 게이트 전극 및 절연막 패턴을 형성하는 공정, n형 또는 p형 도판트를 LDD 영역의 농도로 반도체 섬 내로 제1 이온주입하는 공정, 절연막 패턴 및 게이트 전극 측벽에 스페이서를 형성하는 공정, n형 또는 p형 도판트를 LDD 영역의 농도보다 크게 반도체 섬 내로 제2 이온주입하고 활성화하는 공정, 절연막을 에치-백하는 공정과, 패턴 상에 층간 절연막을 증착한 후 선택 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정, 콘택 홀에 소오스/드레인 전극을 형성하는 공정 등으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 스페이서를 이용한 LDD 구조의 TFT 제조시 LDD 영역의 길이를 LDD 길이 증가용 절연막을 이용하여 게이트 전극 두께 이상으로 증가시킬 수 있게 되어, LDD 영역의 길이를 증가시키기 위해 별도로 게이트 전극의 두께를 증가시킬 필요가 없게 되므로, 게이트 전극의 두께 증가에 의해 발생되는 차후 증착되는 막의 단차를 줄일 수 있어 소자의 특성을 향상시킬 수 있으며, 또한 TFT 제조공정을 픽셀 구동용 TFT에 적용할 경우 종래 단차로 인해 야기되던 픽셀전극의 단선을 방지할 수 있어 액정표시장치의 제조수율을 향상시키는 효과를 도출한다.