일반기술
반도체 레이저 다이오드
기술의 개요 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 반도체 레이저 다이오드의 활성층에 SCL을 적용함으로써 매우 낮은 문턱전류값을 갖는 고품질의 반도체 레이저 다이오드를 구현하기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 제1도전형 기판상에 순차적으로 형성된 제1도전형 클래드층과, 제1광가이드층, 활성층과 반대방향의 스트레인을 가지는 SCL, 스트레인이 가해진 단일양자우물활성층, 활성층과 반대방향의 스트레인을 가지는 SCL, 제2광가이드층 및 제2도전형 클래드층으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-05
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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