일반기술

박막 트랜지스터 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 활성층 형성공정의 안정성을 기할 수 있고, 소자특성을 향상시킬 수 있도록 하기 위한 것이다. 기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 폴리실리콘층의 소정 영역을 선택적으로 얇게 만들어 활성층을 형성하는 단계, 폴리실리콘 활성층상에 게이트산화막을 형성하는 단계, 폴리실리콘 활성층의 두께가 얇은 영역의 게이트산화막 상부에 게이트전극을 형성하는 단계, 게이트전극을 마스크로 하여 폴리실리콘 활성층에 이온주입을 행하여 저농도 도핑영역과 그레이디드 도핑영역 및 고농도 도핑영역을 동시에 형성하는 단계, 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계, 절연층을 선택적으로 식각하여 고농도 도핑영역의 소정부분을 노출시키는 콘택개구부를 형성하는 단계, 절연층상에 콘택개구부를 통해 고농도 도핑영역과 접속되는 전극을 형성하는 단계 등으로 이루어져 있는 것이 특징이다.