일반기술
반도체 레이저 다이오드의 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 에피택셜 성장 및 포토공정의 안정성을 도모하기 위한 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 반도체 레이저 다이오드의 제조공정에 있어서, GaAs 기판 상에 H2SO4 계 식각용액을 이용해 [Oli] 방향으로의 메사층을 형성하는 식각공정과 1H2SO4 : 3H2O2 : 7C2H4OH인 H2SO4 계 식각용액을 이용해 [Oll] 방향으로의 메사층을 형성하는 식각공정으로 진행하여 [Oll][Oli] 방향 모두 V형상을 가지는 메사층을 형성시키는 것을 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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