일반기술
반도체장치의 패턴형성공정
기술의 개요 - 본 기술은 서브미크론 패턴을 얻을 수 있도록 한 반도체 장치의 패턴 형성공정에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 GaAs 기판상에 제1에피택셜층을 성장시킨 후 액티브 영역의 제1에피택셜층에 마스크를 형성하는 공정과, 노출된 부분의 제1에피택셜층상에 제2에피택셜층을 마스크의 양쪽 가장 자리에서부터 점점 가까워지게 하여 소정의 간격이 되도록 성장시키는 공정으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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