일반기술
질화물계 반도체 성장 방법
본 기술은 화합물 반도체에 관한 것으로, 청색 파장 대역의 질화물계 반도체 성장 방법에 관한 것이다.- 특징MOCVD를 이용한 기존의 질화물계 결정 성장 방법이 일정한 압력에서 행해지는 것과는 달리, 저기압에서 버퍼층을 성장한 후, GaN 결정 성장 온도로 올라가기 전에 압력을 대기압으로 올린 다음에, 온도를 올리고, 다시 원하는 압력으로 반응기 압력을 조절함으로써, 그레인 크기가 큰 버퍼층을 얻을 수 있고, 그 후에 성장되는 질화물의 결정학적, 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.백그라운드 도핑 레벨(background doping level)을 낮춤으로서, 효과적인 n형 도핑 및 p형 도핑을 얻을 수 있고, 저기압에서 질화물 결정 성장을 하므로 효율적으로 유기 금속 원료를 사용할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-11
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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