일반기술

티에프티-엘씨디의 구조 및 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Device)에 관한 것으로 특히, 화소영역에 형성되는 저장 커패시터(Storage Capacitor)부를 투명하게 형성하여 개구율을 향상시키는데 적합하도록 한 TFT-LCD 구조 및 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 복수개의 게이트라인과 데이타라인이 서로 수직한 방향으로 교차되도록 형성되고, 게이트라인과 데이타라인 사이의 화소영역에 적층형 커패시터를 갖도록 화소전극이 형성되며 게이트라인의 신호에 의해 데이타라인의 신호를 화소전극에 전달하는 박막 트랜지스터를 구비한 TFT-LCD에 있어서, 게이트라인과 데이타라인 교차되는 부분에 박막 트랜지스터가 형성되고, 게이트전극에 연결되도록 화소영역에 커패시터 저장전극이 형성되는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술로 TFT-LCD의 개구율이 향상되고 소자의 성능이 우수해지는 효과가 도출된다.