일반기술
백색 발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법
본 기술은 백색 발광 다이오드의 제작 과정에 관한 것으로, 특히 백색 발광 다이오드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.- 특징백색 발광 다이오드를 구현하기 위한 다단계 박막 성장시 1차 성장 시 MOCVD 또는 MBE 공정을 하여 GaAs계 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 고온 성장한 후, 2차 재성장시 MBE 또는 MOMBE 공정을 하여 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체층을 1차 성장보다 저온 성장함으로써 계면의 뭉그러짐과 내부 확산(inter-diffusion)에 의한 소자 특성의 열화를 방지한다.백색 발광 다이오드 제작 공정이 반도체 레이저의 프로세스 기술로 대응 가능하므로 새로운 공정 기술을 요구되지 않고, 두 발광 다이오드 구조에 주입되는 전류의 양으로만 인간의 눈에 검출되는 가시광 영역을 변화시킨다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-12
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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