일반기술

광추출 효율 개선을 위한 p-GaN roughening 에피 성장 기술

<기술의 개요>- 에피층 내부에서 외부로 광자(Photon)들이 빠져 나올 시 전반사에 의한 내부 손실로 인하여 광추출의 효율이 떨어지게 됨.- 서로 다른 물질 사이의 경계면에 요철을 주게 되면 반사가 된 광자들이 다시 빠져 나올 수 있는 기회를 가지게 되어 광추출의 효율을 높일 수 있음.- 비평면층 패턴을 형성시킴으로 인하여 광자들이 외부로 빠져 나오게 하는 탈출콘의 확장 효과를 가지게 되어 결과적으로 광추출 효율의 증가를 꾀하는 기술임.<기술의 특징>- 기존 제품 대비 향상된 광추출 효과를 통해 고품질의 제품 생산- 단일 공정 내에서의 기술을 적용함으로써 추가적인 시간과 비용의 낭비를 억제- 비평면층 크기 및 주기 제어를 통해 발광 효율을 개선한 고휘도 LED 기술 개발을 통한 제품 경쟁력 강화<기술 및 시장동향>- 세계시장규모는 ‘05년 약 160억불(LED 40억불, 반도체조명 120억불) 수준이며, ’11년까지 연평균 96% 내외의 고속성장세 유지 전망- LED 분야에서는 일본(50%), 미ㆍ유럽(23%), 대만(14%), 한국(9%), 중국(4%)이며, 반도체조명 분야에서는 일본(30%), 미국(25%), 유럽(20%)이 75%를 점유하며, 한국은 2.5% 점유.- 중저휘도급 LED 제품의 단가는 안정화 되고 있으나 고부가가치 응용제품에 필요한 고휘도 LED의 가격은 여전히 높은 편이며 차세대 반도체조명 시대로 가기 위해서는 기술향상 이외에 cost effective한 생산기술이 필수- 국내 p-GaN roughening 기술은 개발 초기단계