일반기술

1470~1610 nm 까지 20 nm 간격 8파장 uncooled DFB-LD 제작기술

<기술의 개요>- CWDM 용 8파장 (1470 ~ 1610 nm) 에 해당하는 InGaAsP DFB-LD 소자를 위한 핵심 기술을 확보하였다. 먼저 InGaAsP MQW 구조 설계와 더불어 InGaAsP quantum well structure 성장, SCH 구조 성장, p-type Zn 도핑 기술 등 에피성장 기술을 확보하였으며, DFB single mode 레이저를 구현하기 위한 핵심 기술인 Grating structure는 Ar laser를 이용한 간섭노광법을 이용하여 형성하였다. 이때 레이저의 파장에 따라 Grating의 pitch는 1470~1610 nm에 대하여 2,277 ~ 2507 Å를 각각 형성하였다. Mesa 형성은 건식식각과 습식식각을 접목하여 폭 1.5. ㎛ 내외로 구현하였으며, p-Ohmic contact은 Pt/Ti/Pt/Au 구조의 metal를 e-beam evaporator로 증착하여 2.28×10-6 Ωcm2의 비저항값을 얻었다. Wafer 상태로 공정이 끝난 레이저 다이오드는 벽개면에 결함이 없이 bar 형태로 만들고, 양 facet를 AR/HR coating을 하게 되는 데, 무반사(Anti-reflection) 측은 SiO2와 Ti3O5로 반사율 1%이하의 coating를 하였고 고반사(High Reflection) 측은 Al2O3/Si를 사용하여 80% 이상의 반사율을 갖도록 coating 하였다.<기술의 특징>- 고품질의 광통신소자 chip의 설계, 요소 기술, 제조 및 평가기술을 확보- 능동 광부품의 국산화를 위해서는 광 모듈의 핵심 부품인 각종 렌즈, Isolator, TE-cooler, Ferrule, 패키지 case, 기구물 등의 수동 소자산업이 필연적으로 국산화하는 등 관련 기술의 저변 확대가 예상- 초고속 광수신 모듈 의 기반 기술로 활용, 즉 본 기술개발에 사용된 결정성장 기술 및 요소기술은 CWDM 용 DFB-LD 광수신 모듈의 개발에 기본기술로 활용<기술 및 시장동향>- 수요대비 과잉투자에 의한 재고증가로 하락되었던 광통신시장이 2003년을 정점으로 서서히 회복세를 가져오면서 CWDM 관련 광통신분야에도 Lucent, 미쯔비시, Finisar 등 관심을 갖는 업체들이 많아졌다. 그러나, 국내의 광소자의 경우 대부분 일본 및 북미, 유럽으로부터 고가의 소자를 들여와 패키징 및 모듈을 만들어 팔고 있으므로 낮은 인건비를 바탕으로 한 중국, 대만의 저가 제품에 대하여 경쟁력이 미비한 실정이다