일반기술

GaN 기판을 이용한 고효율 Green LED 시제품 개발

<기술의 개요>- In 의 조성이 상대적으로 Green LED 보다는 적게 들어가게 되는 blue 혹은 단파장 LED의 경우 우물역할을 하는 well layer 의 성장속도에 따른 차이가 심각하게 광출력에 영향을 주지는 않으나 In 의 조성이 40%정도 들어가게 되는 Green LED 의 경우 well layer 의 성장속도가 느릴 때 재결합 효율이 좋아지는 것을 관찰할 수 있다. - 기존 LED 구조에서는 전자와 정공의 이동속도에 따른 재결합 효율의 저하가 고효율 LED 의 제작에 있어 문제가 되고 있다. CART (Charge Asymmetric Resonant Tunneling) 구조의 도입으로 인하여 이러한 문제를 해결할 수 있고 InGaN으로 구성되는 CART 구조의 두께 및 조성의 최적화 시 발광효율의 많은 증대를 기대할 수 있다.<기술의 특징>- 534 nm 고휘도 LED- 연구 단계에 머무르고 있는 장파장 LED 시제품 개발 <기술 및 시장동향>- GaN 기반 고휘도 Green, Blue LED 는 BLU, full color display 및 차세대 조명 산업에서 새로운 부가가치 산업을 창출할 수 있는 제품군이며 GaN 계 LED 는 전체 고휘도 LED 시장(2004년 약 3.5조원)의 61%를 차지하는 가장 비중이 큰 제품이며, 고휘도 Green LED 는 GaN 계 고휘도 LED 시장의 29%를 차지하는 제품이다. 또한 2004년 전체 LED 시장에서 GaN 계 물질을 사용한 LED 는 2003년에 비해 49%의 시장 성장률을 보여 앞으로 GaN 계 시장은 계속하여 팽창될 것으로 예측된다. 이처럼 시장의 규모는 계속 커지고 LCD BLU, 자동차, full color display/조명으로 응용분야가 확대될 것으로 예측되어 GaN 계 LED 의 비중은 더욱 커질 것으로 예측된다.- Laser Diode 에 적용되는 기판의 경우 DVD 의 차세대 규격 확정여부에 따라 유동적인 예측이 가능하고 게임기, PC 분야에 채용 가능하며 저작권 및 S/W 문제 해결 시 2007 년 이후 급성장이 예상되며 전자소자 분야는 동영상 서비스 상업화로 고주파 및 고출력 등 성능우위의 GaN 기판의 수요가 예상됨. 2010 년 이후 대체가 전망 된다