일반기술

Thin GaN 청색 LED용 반사막 공정기술

<기술의 개요>- 고반사막을 가지는 LED는 차세대 조명용 LED 광원으로 평가받는 중요한 광원- 고휘도 LED 칩에서 외부 추출 효율을 극대화 시키는 고반사막을 가지는 LED칩 공정 기술은 국내 LED 기술에서 가장 취약한 부분으로 기반기술 확보가 시급- 고반사막을 가지는 LED 제조기술은 반도체 조명뿐만 아니라 LCD BLU, 자동차 조명으로 응용분야를 확장할 수 있는 핵심 기반기술- 투명 산화물 전극에 홀 구조를 만들어 반사막 접착력 및 열방출 효율을 높일 수 있는 반사막 구조 개발 완료(> 80% 반사도)- 투명 산화물 전극(ITO) 식각 공정 확보- 분위기 열처리에 따른 금속 반사막의 p-GaN Ohmic 접합 공정 확보- 파장 : 460 ± 5nm- 칩 크기 : 0.3 mm x 0.3 mm- 발광효율 30% 이상 향상 @20mA - 작동전압 : < 3.4V@20mA<기술의 특징>- Thin GaN LED의 광 추출 효율 향상 기술 확보에 따른 고휘도 LED 시장 경쟁력 확보 위한 발판 마련- 고휘도 LED 국산화 및 수입 대체 효과<기술 및 시장동향>- 반사막이 적용된 고휘도 LED 기술은 Lumileds, Osram, Nichia, Cree, Semiled 등 해외 선진사들이 주도 하고 있다.- 고휘도 LED 국내 기술은 삼성전기, LG이노텍, 광주과학기술원 등에서 기초적인 연구를 하고 있다.- LED 휘도 향상을 위하여 에피성장 기술 뿐만 아니라 저온 p-GaN 성장기술, Laser lift-off 기술, Wafer bonding 기술 등 칩 공정기술 확보에 사활을 걸고 있다. - 고휘도 LED에서 한국시장은 세계시장 규모의 10%로 추정.- 전체 LED 시장 중에 조명, 자동차, 신호등, 디스플레이용에 사용되는 것을 고휘도 LED 시장으로 하였으며, 이중 고반사막을 이용한 LED를 2006년에는 0.05%에서 2008년에는 5%로 추정.