일반기술
RCLED 요소 공정 기술 개발
<기술의 개요>- Lattice mismatch를 0% ~ 0.2% 내에서 제어할 수 있는 고품위 에피 성장 조건 확보- DOE 방법을 이용한 실험을 통해 DBR 성장 조건 최적화- 활성층의 PL 반치폭이 평균 8.9nm인 고효율의 에피 구조 확보- DBR의 반사율 및 공진길이 변경 실험을 통한 최적 RCLED용 에피 구조 확보<기술의 특징>- POF용 광원에 대한 기술 및 시장 경쟁력 확보를 위한 발판 마련- POF 통신용 적색 RCLED 국산화 및 수입 대체 효과- 가시광 통신 기술의 등장으로 새로운 수요 창출에 대한 시장 선점 가능<기술 및 시장동향>- 세계적으로 Zarlink Semiconductor, Osram Opto Semiconductor, FireComms, UE, Copax등은 650nm 파장을 가지는 RCLED에 대한 기술 개발 결과 및 시제품을 생산하고 있으며, 고출력 및 고속변조의 특성을 얻기 위한 노력을 지속적으로 진행하고 있음.- 국내에는 650nm 파장을 가지는 RCLED 전문 제작 기술이 취약한 상황임.- 전세계적으로 홈네트워킹 시장 전망은 2003년 518억달러에서 2007년 1027억달러로 연평균 19% 이상의 고속 성장이 예상됨. (Gartner Group, Home Networking : No Mass-Market Opportunities, 2001)- POF 통신은 유선 Ethernet 및 POF IEEE1394B등의 고속 홈네트워킹 기술로 빠른 시장 증가가 예측되며, 그의 광원으로 650nm 파장을 가지는 RCLED의 high volume application이 기대됨.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국광기술원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-13
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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