일반기술

액정표시장치용 박막트랜지스터 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 액정표시장치용 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로 플라즈마에 의한 게이트절연층의 손상을 방지하여 소자의 신뢰성을 향상시키기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상의 일정영역에 반도체층과 게이트절연층을 차례로 형성하는 제1스텝과, 게이트절연층을 포함한 기판상에 비정질실리콘층을 증착한 후 감광마스크를 통한 제1불순물 이온을 주입하여 반도체층의 일영역에 스토리지 캐패시터의 하부전극을 형성하는 제2스텝, 감광마스크를 제거하고 비정질실리콘층상에 제2불순물 이온주입을 실시하여 후공정에서 형성될 게이트전극의 극성을 정의하는 제3스텝, 비정질실리콘층상에 텅스텐 실리사이드층을 형성한 후 함께 패터닝하여 반도체층의 상측에 서로 일정간격을 두고 게이트전극과 스토리지 캐패시터 상부전극을 형성하는 제4스텝, 게이트전극과 스토리지 캐패시터 상부전극을 마스크로 하여 소오스 및 드레인영역 형성을 위한 제3불순물 이온을 주입하는 제5스텝, 콘택홀을 통해 소오스 및 드레인영역과 접촉되도록 금속을 증착하여 패터닝하고 층간절연층을 형성하는 제6스텝, 드레인영역과 접촉된 금속과 연결되도록 화소전극을 형성한 후 전면에 보호막을 형성하는 제7스텝 등으로 구성되어 있는 것이 특징이다.