일반기술

박막트랜지스터 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 다결정 실리콘 박막트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상의 일정 영역에 반도체층을 형성하고, 반도체층상에 게이트 절연막을 형성한 다음, 게이트 절연막상에 감광막을 도포하고 패터닝하여 반도체층의 양 에지영역을 제외한 반도체층의 가운데 영역에만 남기고, 감광막을 마스크로 전면에 산소이온을 주입하고 열처리하여 반도체층의 양 에지영역에 산화막을 형성하고 감광막을 제거한 후, 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하고, 게이트 전극을 마스크로 전면에 불순물이온을 주입하고 열처리하여 반도체층에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성하며, 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 층간 절연막을 형성하고, 층간 절연막 및 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 소오스 영역 및 드레인 영역이 노출되도록 콘택홀들을 형성하고, 콘택홀들을 통해 소오스 영역 및 드레인 영역에 연결되도록 메탈전극을 형성하며, 메탈전극을 포함한 기판 전면에 보호막을 형성하는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 게이트 절연막의 항복전압특성 및 누설전류의 특성을 향상시켜 우수한 특성을 갖는 박막트랜지스터를 제작하는 효과를 도출한다.