일반기술
전계효과 트랜지스터 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 생산성을 향상시키는 FET 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 전자 빔 리소그래피 공정을 사용하지 않고 일반적인 포토리소그래피 공정을 이용하여 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 금(Au)으로 이루어진 게이트 전극을 형성한 후, 게이트 전극을 이루는 타이타늄의 양측면 일부분을 산화시켜 반도체 기판과 접하는 게이트의 면적을 줄이는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 소자의 주파수 특성을 향상시키고 소자의 전체적인 생산성이 크게 향상되는 효과를 도출한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-13
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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