일반기술
반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법
- 개요 본 기술은 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것임.- 특징 소자의 광 방출면과 광 반사면에 인접되고, 식각 정지층 상부의 상호 이격된 두 영역에 각각의 N타입 전류 방지층을 형성하여 소자를 제조함.- 효과 미러(MIRROR)면으로 주입되는 전류는 N타입 전류 방지층에 의해 차단되므로, 소자의 전류 퍼짐 현상을 방지할 수 있어, 소자의 광 특성을 향상시킬 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-13
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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