일반기술
메스패트의 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 MESFET 제조방법에 관한 것으로, 특히 하나의 기판상에 문턱전압이 서로 다른 MESFET를 제조하는데 적당하도록 한 MESFET 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 복수개의 활성층을 형성하는 제1공정과, 각 활성층상에 하나의 소오스전극과 드레인전극이 위치되도록 복수개의 금속전극을 형성하는 제2공정, 소오스전극 및 드레인전극 사이의 활성층과 소오스전극, 드레인전극 또는 소오스전극과 드레인전극 양측의 활성층상에 문턱전압을 조절하기 위한 적어도 하나의 개구부를 갖는 절연막을 형성하는 제3공정과, 절연막을 마스크로 이용하여 활성층을 소정깊이로 식각하는 제4공정, 마스크 물질층을 포함한 기판의 전면에 게이트 금속물질층을 형성한 후 마스크 물질층을 제거하여, 활성층이 소정깊이로 제거된 부분에 게이트 전극을 형성하는 제5공정으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-13
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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