일반기술
반도체 레이저 다이오드
본 기술은 다이오드에 관한 것으로, 특히 반도체 레이저 다이오드에 관한 것이다.- 특징N 2플라즈마 보호막(passivation)을 발생시키고, GaN 박막과, SiN 박막을 형성하고, TiO 2 박막을 이용하여 미러 코팅을 수행한다.SiN 박막이 외부의 산소 공급원을 효과적으로 차단하여 신뢰성을 높여주며, 동시에 고 굴절률의 TiO 2 반사막이 COD 레벨을 일반적인 반사막에 비하여 증가시켜서, 고출력 동작을 가능하게 한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-13
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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