일반기술
에피텍셜형 강유전체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 에피택셜형 강유전체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 실리콘 기판상의 버퍼층과, 버퍼층위의 에피텍셜 전극, 에피텍셜 전극위의 강유전체층, 에피텍셜 전극 및 강유전체층위의 반도체층과, 게이트, 소스 및 드레인을 구비하여 구성되며, 그 제조는 실리콘 기판에 버퍼층을 증착하는 공정과, 이후 에피텍셜 전극을 형성하는 공정, 이후 강유전체층을 형성하는 공정, 반도체층을 형성하는 공정과, 이후 게이트, 소스 및 드레인의 배선을 형성하는 공정으로 제조를 완료하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 에피텍셜 강유 전체 전계효과 트랜지스터를 구현하여 강유전체 FET의 전도도 변화를 크게 향상시킬 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-13
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.