일반기술
반도체 레이저 다이오드의 제조방법
본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로서 특히, 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것이다.- 특징2차 제 2 클래드층을 형성하기 위해 InGaAsP를 사용할 경우 AlGaAs에 비해 약 100℃ 이상 성장온도를 낮게 해 600℃에서 성장시킬수 있으므로 캡층 형성시 온도를 재조정할 필요가 없으므로 공정시간을 단축하여 생산성을 향상시킬수 있다.2차 제 2 클래드층 형성이 600℃에서 이루어져 활성층으로의 아연확산으로 인한 발진파장의 변화 및 발진개시전류의 증가를 막아 소자의 신뢰성을 극대화할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-14
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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