일반기술
레이저 다이오드 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 고출력의 레이저 다이오드의 구현을 위해 소자의 저항을 낮춤으로써 광특성을 개선시키고 P-N 접합에 의한 손실을 감소시켜 광·전특성을 개선시킬 수 있는 레이저 다이오드의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 P형 기판상에 아일랜드 형태의 메사 구조를 형성하고 그위에 전체적으로 n형 전류제한층을 소정두께로 형성하는 스텝과, n형 전류제한층상에 릿지구조를 형성하고 이 릿지구조의 중앙 부위에 메사구조의 표면이 드러나도록 식각을 실시하여 V형 채널을 형성하는 스텝, P형 크래드층, P형 가이드층, 활성층, n형 한정층 및 n형 캡층을 차례로 형성하는 스텝, 산화막 마스크를 이용하여 소자의 양측 소정폭의 부위를 P형 크래드층까지 선택적으로 식각하여 제거하고 제거된 부위에만 선택적으로 반절연성 NAM층을 형성하는 스텝 등으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-14
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.