일반기술
적색 레이저 다이오드
본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로, 특히 GaAs 컴플라이언트 기판을 이용한 적색 레이저 다이오드에 관한 것이다.- 특징630nm의 고출력 고온 동작이 가능한 반도체 레이저 다이오드를 구현하기 위해 GaAs 컴플라이언트 기판 기술을 이용하여 새로운 구조를 제시하였다. 그러므로, GaAs 컴플라이언트 기판을 사용하여 높은 양자장벽과 클래드 층으로 전하 오버플로우를 줄이고, 광이득과 광손실을 줄임으로써 레이저 디스플레이 등에 응용될 630nm 고출력 반도체 레이저 다이오드의 제작을 가능케 한다.GaN등과 같은 청색 계열 및 적외선 영역의 반도체 레이저 다이오드의 제작에도 동일하게 적용가능하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-14
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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