일반기술

수직 활성층을 가지는 청색 반도체 레이저 제조 방법

본 기술은 반도체 레이저에 관한 것으로, 특히 수직 활성층을 가지는 청색 반도체 레이저의 제조 방법에 관한 것이다.- 특징수직 MQW 부분의 길이를 조절하는 것이 가능하고 MQW 주변의 클래드층들과 웨이브 가이드 층들의 모양과 두께 조절이 가능하므로 파 필드 패턴을 원하는 대로 만들 수 있으며, 양자 우물(quantub well) 뿐만 아니라 양자 와이어(quantum Wire)의 활성층도 만들 수 있으므로 동작 전류를 낮출 수 있다.전류 차단층의 도입으로 넓은 면적의 p형 전극을 형성할 수가 있어서 동작 전압을 낮추는 것이 가능하며 소자의 동작 시에 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있다.결정 결함이 적은 기판을 따로 준비할 필요가 없기 때문에 공정 시간을 줄이고, 그에 따라 생산 단가도 낮출수 있으며, 질화물 반도체에서는 청색, 녹색 그리고 자외선 영역의 파장을 가지는 모든 레이저 다이오드의 제작에 응용이 가능하며 질화물 반도체 이외의 화합물 반도체를 이용하는 모든 레이저 다이오드의 응용에 적용이 가능한 선택적 결정 성장 방법이며 특히 픽-업(Pick-up) 장치등에 사용하는 경우 렌즈 시스템을 생략할 수가 있어서 시스템 가격을 낮추고 quantum 와이어 형태로 활성층을 제작하는 경우 소자의 동작 전력을 낮출 수 있다.