일반기술
커패시터 구조
기술의 개요 - 본 기술은 커패시터 구조에 관한 것으로, 커패시터의 전기적 특성(즉 유전율, 누설전류 등)을 개선하여 고집적소자에 적합하도록 한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 실리콘 기판과 그 위에 형성되고, pt 막과 RuO2-X(0X1) 또는 IrO2-X(0X1)의 1종으로 이루어지는 산화막을 포함하는 하부전극과, 하부전극상에 형성된 BaXSr1-XTiO3(0＜X＜1)막, BaXSr1-XTiO3막 위에 형성된 Pt막으로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-15
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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