일반기술
ＧａＮ 기판 제조 방법
본 기술은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 질화물 반도체 소자의 성능을 향상시키기 위한 고품질의 GaN 기판 제조 방법에 관한 것이다.- 특징성장을 통한 GaN 박막의 준비가 매우 간단하며, 효과적으로 박막 내에 전파되는 전위(dislocation)를 전면적으로 극소화하여 이를 이용하면 우수한 특성을 나타내는 질화물 소자를 제작할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-15
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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