일반기술

반도체 기판의 범프 에어리어 형성방법

기술의 개요 - 본 기술은 반도체 기판의 범프 에어리어 형성방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 반도체 기판의 전극패턴 위에 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 및 금(AU) 증착막을 차례로 형성하는 제1공정과, 제1공정 후 포토레지스트를 이용한 포토리소그래피(photolithography) 공정을 거쳐 금 증착막 위에 범프 에어리어를 형성하는 제2공정, 제2공정 후 상기 범프 에어리어에 남아 있는 포토레지스트가 제거되도록 반도체 기판을 금 에천트(etchant)에 침적시켜 금 증착막의 일부를 에칭하는 제3공정으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 잔존 포토레지스트의 두께와 상관없이 잔존 포토레지스트를 완전히 제거할 수 있기 때문에 후공정인 범프 형성시 범프의 평탄도가 양호해지고, 장벽금속에 열 스트레스가 가해지지 않기 때문에 범프 형성시 범프와 장벽금속 간의 접착성을 강화시킬 수 있다.