일반기술

청색 레이저 다이오드

기술의 개요 - 본 기술은 할로겐 기상방막성장(HVPE)법으로 성장된 n-GaN 기판을 사용함으로써 격자부 정합 및 온도팽창계수에 기인된 결정결합이 배재된 청색 레이저 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.기술의 특징 - 본 기술은 할로겐 기상박막 성장방법을 이용 동종 박막성장으로 성장한 n+형 GaN 기판을 준비하는 단계와, n+형 기판위에 실리콘이 각각 도핑된 n형 GaN층, n형 1nxGa1-xN층(0≤x≤1), n형 AlxGa1-xN층 및 n형 GaN층을 순차 성장시켜 형성하는 단계, n형 GaN층위에 ln0.2Ga0.8의 웰층과 ln0.05Ga0.95N층의 베리어층을 복수개 교대로 성장시켜 다중 양자우물층 구조의 활성층을 형성하는 단계와, 활성층상에 Mg가 각각 도핑된 P형 AlxGa1-xN층, P형 GaN층, P형 AlxGal-xN층 및 P형 GaN층을 형성하는 단계, 기판하부 및 P형 GaN층 상부에 각각 n형 오옴 접촉전극과 P형 오옴 접촉전극을 형성하는 단계로 구성되어 있는 것이 특징이다.