일반기술
질화갈륨 발광 다이오드 및 그 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 기판과 이 기판 위에 형성하는 발광 소자와의 격자 부정합 및 온도팽창계수 차이에 따른 결정결함을 제거하기 위한 질화갈륨 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.기술의 특징 - 본 기술은 할로겐 기상박막성장법을 이용한 동종박막성장으로 성장한 후 살리콘을 도핑하여 얻어진 n+형 질화갈륨기판을 마련하는 단계와, n+형 질화갈륨 기판상에 순차적으로 유기금속 박막성장법으로 n형(GaxAl1-xN, InxGa1-xN 및 P형 GaxAl1-xN을 각각 성장시켜 N형 클래드층, 활성층 및 P형 클래드층을 형성하는 단계, P형 클래드층상 및 기판하부에 각각 P형 및 n형 전극을 형성하는 단계로 구성되어 있는 것이 특징이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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