일반기술
발광 다이오드 및 그 제조방법
기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 효과 - 본 기술은 전극 형성시 공정이 복잡하고 비효율적인 문제점을 해결하기 위하여, n형 및 p형 에피택셜층상에 GaTi층, Al층, Au층으로 이루어진 전극을 동시에 형성하고, p형 에피택셜층상의 전극을 제외한 전면에 포토 레지스트를 형성한 후, 500~900℃의 온도와 NH3, N₂중 어느 하나의 분위기에서 열처리하여 n형 및 p형 전극을 형성함으로써, 공정이 단순하고 전도성이 향상된 발광 다이오드를 제작하는 효과를 도출한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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