일반기술

발광 다이오드 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 하이 도핑(high doping)시 p형 에피택셜층에 크랙(crack) 등이 형성되는 문제점을 해결하기 위하여, 기판상에 n형 에피택셜층과 활성층 및 p형 에피택셜층을 순차적으로 형성하고, p형 에피택셜층상에 Mg(또는 Zn, In)금속막을 형성한 후, IBM(Ion Bram Mixing)방법을 이용하여 Mg 금속막 전면에 Ar이온 빔을 가속으로 수직 입사시켜 Mg이온을 p형 에피택셜층에 주입시키고, p형 에피택셜층 및 활성층을 선택적으로 제거하여 n형 에피택셜층의 일정영역을 노출시킨 다음, 노출된 n형 에피택셜층과 p형 에피택셜층상에 각각 전극을 형성하는 것을 특징으로 한다.기술의 효과 - 본 기술은 하이 도핑시에도 p형 에피택셜층에 크랙(crack) 등을 방지할 수 있어 발광 다이오드의 수율을 향상시키고 p형 에피택셜층의 도핑 농도를 자유롭게 조절할 수 있으므로, 전도성이 우수한 발광 다이오드를 제작하는 효과를 도출한다.