일반기술
화합물 반도체 레이저 다이오드
- 개요 본 기술은 화합물 반도체 레이저 다이오드에 관한 것임.- 특징 N-화합물 반도체 기판의 상부에 리지(RIDG)를 갖는 N-화합물 반도체층이 형성되어 있고, 리지의 상부에 N-클래드층, N-웨이브 가이드층, 활성층, 에칭방지층, P-웨이브 가이드층, P-클래드층과 P-캡층이 순차적으로 적층되어 있고, 리지 측면의 N-화합물 반도체층 상부에 P-금속 화합물 반도체층과 N-금속 화합물 반도체층이 순차적으로 적층되거나 또는 유전막이 형성되도록 구성함.- 효과 인가전류의 구속력을 향상시켜, 임계전류(THRESHOLD CURRENT, ITH)를 낮출 수 있고, 수평/수직 방사각 비율을 개선할 수 있으며, L-I(LIGHT-CURRENT)곡선에서 킨크(KINK)의 발생을 줄일 수 있음.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
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