일반기술
플라즈마 처리를 이용한 청색 반도체 레이저의 제조 방법
본 기술은 청색 반도체 레이저의 제조공정에 관한 것으로, 특히 p-타입 특성을 갖도록 하기 위한 활성화로 인한 질소 공간(vacancy)과 건식 식각 후의 질소 댄글링(dangling)을 플라즈마 처리를 이용하여 보충시켜 줌으로써 반도체 레이저의 전기적 특성을 향상시키는 제작공정에 관한 것이다.- 특징p-타입 GaN을 만들기 위한 활성화와 건식 식각 후 표면에 질소 공공(vacancy)이 생기는 것을 플라즈마 처리를 해줌으로써, 표면 누설(surface leakage)이 감소하며, 건식 식각 손상(damage)으로 생긴 부분의 패시베이션(passivation) 역할을 하며, n-전극의 저항감소로 소자의 I-V 특성을 개선할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 전기/전자
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2008-02-18
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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