일반기술

GaAs HBT 전력소자기술

근래 폭발적인 수요 증가세를 나타내는 각종 휴대 단말기 핵심 부품의 국산화는 극히 미미한 실정이다. 특히 전력증폭기(Power MMIC)는 미국의 Conexant나 RFMD 등 일부 회사에서 기술적인 독점권을 과시하고 있다. 전력증폭기 개발을 위해서는 설계 제작을 위한 기반시설이 준비되야 하는 관계로 초기 투자비용이 크며, 회로설계, 고집적 MMIC 공정, 고품위 패키징 등 최첨단 기술개발이 필요한 바 이에 따른 위험성이 높고, 투자 비용 회수에도 2 ~ 3 년 정도의 기간이 소요될 것으로 예상되어 기업의 경제적 부담이 상당히 크다. 현재 이러한 전자부품을 개발하기 위한 생산시설과 설계 및 공정 전문가를 확보하고 있는 업체는 국내에 전무한 실정이다. 국내 유일하게 최첨단의 화합물반도체 공정시설과 GaAs HBT 전력소자의 설계 및 제작경험을 가지고 있는 ETRI의 연구결과를 관련 산업체에 전수할 경우 상용화 기간의 단축과 함께 관련 기술의 국제경쟁력 확보에 초석이 될 수 있으므로 기술이전을 조기에 수행하는 것이 필요하다.- GaAs HBT 에피 및 소자 설계기술 - 0.9 ~ 2 GHz급 전력증폭기에 적용 가능한 GaAs HBT 전력소자 제작기술- 수동소자 설계 및 제작기술 - 회로설계를 위한 소자변수 추출 기술 - 초고주파 측정기술