일반기술

발광 다이오드 및 그 제조방법

기술의 개요 - 본 기술은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.기술의 특징 - 본 기술은 기판상에 형성되는 n형 GaN층과, n형 GaN층상의 일정영역에 형성되는 활성층, 활성층상에 형성되는 p형 GaN층, n형 GaN층상의 일정영역에 형성되고, In, Si, Ge 중 어느 하나로 이루어진 제 1 층, Ni, Pd, Pt 중 어느 하나로 이루어진 제 2 층, Ti로 이루어진 제 3 층, Au으로 이루어진 제 4 층이 적층되어 형성되는 n형 전극과, p형 GaN층상의 일정영역에 형성되고 Be, Mg, Zn 중 어느 하나로 이루어진 제 1 층, Ni, Pd, Pt 중 어느 하나로 이루어진 제 2 층, Cr로 이루어진 제 3 층, Au으로 이루어진 제 4 층이 적층되어 형성되는 p형 전극으로 구성되어 있는 것이 특징이다.기술의 효과 - 본 기술은 전극과 반도체층과의 콘택 저항을 크게 줄일 수 있으므로 소자의 전기적 특성이 매우 우수하고, 전극 표면의 모폴로지가 매우 좋으므로 본딩공정에 유리한 효과를 도출한다.